Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника

Name: Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника
Brand: BLOOM(suzhou) Materials Co.,Ltd
SKU: BLM-S
Price: 5.90 USD
Availability: InStock

Качество Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника фабрика

Основные свойства

Место происхождения:Цзянсу, Китай

Название бренда:BLM

Сертификация:ISO

Номер модели:BLM-S

Торговая недвижимость

Минимальное количество заказа:100KGS

Цена:Negtation

Стандартная упаковка:Упаковка с деревянной коробкой

Срок поставки:25days

Условия оплаты:T/T

Возможность поставки:5 тонн в месяц

Технические характеристики

Место происхождения:	Цзянсу, Китай	применение:	широко
Тип:	Адвокатура никеля	Ni (минута):	36
Номер модели:	инвар 36
Выделить	Кадр инвара 36 точности , Низкий инвар 36 расширения , Инвар 36 применений полупроводника

Описание продукта

Кадр инвара 36 точности с низким расширением для применений полупроводника

1 . Описание:

Инвар имени приходит от слова неизменного, ссылающся на свой относительный недостаток расширения или сужения с изменениями температуры.

Оно было изобретено в 1896 швейцарским физиком Чарльзом Édouard Guillaume. Он получил Нобелевскую премию в физике в 1920 для этого открытия, которое включило улучшения в научных приборах.
OhmAlloy-4J36 (инвар) использовано где высокая сохранность формы необходима, как аппаратуры точности, часы, сейсмические датчики ползучести, рамки тен-маски телевидения, клапаны в моторах, и антимагнитные дозоры. В земле исследуя, когда первого порядка (высокоточный) выравнивать высоты быть выполненным, ровный используемый штат (выравнивая штангу) сделан из инвара, вместо древесины, стеклоткани, или других металлов. Распорки инвара были использованы в некоторых поршенях для того чтобы ограничивать их тепловое расширение внутри их цилиндров.

2 . Нормальный composition%

Ni	35~37.0	Fe	Bal.	Co	-	Si	≤0.3
Mo	-	Cu	-	Cr	-	Mn	0.2~0.6
C	≤0.05	P	≤0.02	S	≤0.02

Типичные физические свойства

Плотность (g/cm3)	8,1
Электрическая резистивность на 20ºC (mm2/m)	0,78
Фактор температуры резистивности (20ºC~200ºC) X10-6/ºC	3.7~3.9
Термальная проводимость, λ/с (m*ºC)	11
ºC Tc/пункта Кюри	230
Модуль пластичности, E/Gpa	144

3. применение

в радио и электронных устройствах,
части изготовления в управлениях воздушных судн
система оптически и лазера
в биметаллических термостатах и в собраниях штанги и трубки для регуляторов температуры

Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника 0